В Воронеже разработали наноматериалы для устройств памяти нового поколения

1 марта 2016

Фото: Harland Quarrington
Ученые Воронежского государственного университета (ВГУ) разработали новые магнитные наноструктурированные материалы с эффектом оптического перемагничивания для инновационных устройств хранения и воспроизведения памяти нового поколения, сообщает пресс-служба университета.

Материал представляет собой магнитные наноструктурированные пленки размером 50 нм из силицидов никеля и кобальта на кремниевой подложке диаметром до 100 мм, обладающие магнитными свойствами. «Научная новизна проекта заключается в том, что впервые в мире поставлена задача по получению и использованию наноструктурированных силицидов переходных металлов с магнитным откликом, установлен наиболее перспективный метод получения наноструктурированных силицидов переходных металлов на кремнии, впервые в мире реализована оптическая запись информации в наноструктурах Men-Sim-Si», отмечается в сообщении.

«Считается, что к 2020 году произойдет переход к новым элементам памяти на основе спинтронных устройств, так называемой MRAM – «Magnetic random access memory», что приведет к резкому изменению компьютерных устройств. Например, скорость доступа к такой памяти будет в тысячи раз больше, чем у нынешних элементов flash-памяти, а ресурс перезаписи – в сто тысяч раз больше. Поскольку в спинтронном устройстве для передачи информации используются магнитные свойства электронов, для их создания требуется разработка ферромагнитных полупроводников, свойствами которых можно управлять. В этой связи существующую проблему увеличения объема памяти, скорости функционирования элемента памяти микро- и наноэлектроники с одновременной миниатюризацией этих элементов в настоящее время связывают с необходимостью поиска новых материалов, методов записи/считывания информации», – цитируются в сообщении пояснения ассистента кафедры экспериментальной физики физического факультета ВГУ Геворга Григоряна.

Как полагают разработчики, продукция может быть использована для создания инновационных запоминающих устройств типа flash-памяти, твердотельных жестких магнитных дисков, кремниевой фотоники, оборудования для изготовления наноструктурированных материалов и изготовления устройств микросистемной техники и магнитных наноматериалов.

На текущей стадии ученые завершают научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, промышленное производство планируется начать в 2018 году.
Все новости