29-31 мая 2022 г. в Москве состоялась XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения. Конференция была организована Государственным научным центром Российской Федерации Акционерным обществом «НПО «Орион» при поддержке Минпромторга России, Минобрнауки России, Государственной корпорации «Ростех», Холдинга АО «Швабе», Российского фонда фундаментальных исследований, Русского оптического общества, Оптического общества им. Д.С. Рождественского. Тематика конференции: полупроводниковая фотосенсорика, техника тепловидения и ночного видения, материалы фотосенсорики и другие.

НПО «Орион» – единственный государственный научный центр России в области фотоэлектроники, относящейся к приоритетным направлениям развития науки, технологий и техники, критическим технологиям РФ.

На открытии Конференции всем присутствующим зачитали поздравление Президента РАН Г.Я. Красникова, который пожелал всем успешной работы.


Генеральный директор НПО Орион В.В. Старцев открывает Конференцию

Конференц-зал с трудом вместил всех желающих послушать доклады о современном состоянии и перспективах развития фотоэлектроники. Конференция традиционно является авторитетной дискуссионной площадкой, где специалисты из разных предприятий отрасли могут обсуждать настоящее и будущее этой индустрии. Всего в мероприятии приняли участие более 400 ученых, специалистов от 86 организаций, которые представили 167 научных докладов о результатах исследований, разработке и производстве изделий современной фотоэлектроники.


Президент РАН Г.Я. Красников поздравляет участников Конференции

Доклады авторов были посвящены значительному кругу проблем, стоящих перед специалистами и учеными в области фотоэлектроники. В числе ключевых тем – традиционные и новые научные направления: фотоэлектроника и ночное видение для специальных применений, фотоэлектроника для космоса, фотоэлектроника квантоворазмерных структур. На пленарных заседаниях докладчики осветили с разных сторон тенденции развития технологий, синтеза новых материалов, создания новых систем наблюдения. Наметился новый тренд переключения интереса от технологий создания объемных структур к технологиям создания приборов на основе эпитаксиальных структур и квантово-размерных структур. Все материалы, используемые в данной области, относятся к классу редких рассеянных и редкоземельных. Но есть тонкости: критически важен материал слитка и подложки, чистота химических прекурсоров. Необычайно важными становится технологии не только получения, но и очистки до высочайшей степени чистоты рассеянных элементов - In, Ga, Sb, Ge, Se. Промышленности необходимы особо чистые материалы на основе редких металлов, полупроводниковые и оптические материалы, материалы радиационной и ИК-фотоники, химическая аналитика. Уровень чистоты должен составлять не более нескольких частиц примеси на миллион частиц основного вещества.

Конференция проходила в доброжелательной атмосфере, доклады почти всегда вызывали дискуссию, которая показывала заинтересованность слушателей. В заключение участники поблагодарили организаторов и оргкомитет конференции за эффективную работу и пожелали всем успехов в дальнейшем развитии фотоэлектроники.



Текст: Наумов А.В., АО «ОКБ «Астрон»