Кремниевой индустрии необходима государственная (в том числе законодательная) поддержка, заявили представители научного сообщества на XI Конференции и X Школе молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2016». Об этом сообщается в пресс-релизе проекта.

Производство полупроводникового кремния и приборов на его основе, предназначенных для использования в микро- и наноэлектронике, силовой электронике, солнечной энергетике, оптоэлектронике, является важнейшим компонентом современной технологической и производственной базы России, отмечается в сообщении. Поэтому одной из приоритетных задач экономики страны является модернизация отечественного производственного потенциала, особенно в секторе твердотельной электроники. Но на сегодняшний день в России отсутствует массовое производство кремния, арсенида галлия и других материалов современной твердотельной электроники, и потребности в полупроводниковых слитках и пластинах покрываются за счет импорта.

Как полагают участники конференции, в связи с этим необходима государственная (в том числе законодательная) поддержка кремниевой индустрии.

Как отмечается в пресс-релизе, сейчас существует государственная поддержка некоторых проектов: например, согласно Постановлению правительства Российской Федерации от 17 февраля 2016 года № 109 и № 110 утверждены правила предоставления субсидий из федерального бюджета российским организациям, реализующим комплексные проекты в рамках государственной программы Российской Федерации «Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности на 2013–2025 годы». Но, как заявляют участники конференции, в существующей редакции эта поддержка не может пока улучшить ситуацию для материаловедческих сегментов полупроводниковой промышленности.

«... при развитии электронной компонентной базы (ЭКБ) для отечественной электроники программы государственной поддержки на настоящем этапе «включаются» с момента создания приборной структуры. Это приводит к тому, что на стадии получения материалов для ЭКБ (слитков и пластин кремния, арсенида галлия, фосфида индия и пр.) по финансовым причинам приходится «экономить» - исходные материалы покупаются за границей. Сегодня реально стоит угроза потери ряда отечественных технологий получения и обработки материалов, не массовых в объеме производства, но крайне необходимых для полноценного развития отрасли (получение методом Чохральского антимонида индия, селенида-цинка-кадмия, фосфида индия, фосфида галлия и пр.). Модернизация отечественного научного и производственного потенциала, увеличение масштабов использования современной электроники в России, расширение направлений разработки и производства компонентной базы должны опираться на отечественные высококачественные материалы», - говорится в сообщении.

Конференция «Кремний-2016», которая состоялась 12-15 сентября в Новосибирске, является продолжением серии научных конференций, посвященных кремнию, и объединяет специалистов из России, Казахстана, Украины, Узбекистана, Белоруссии и других стран. Свою историю она ведет с общероссийского совещания по кремнию, проведенного в МИСиС в 1999 году. С 2000 года параллельно с конференцией проводится Школа для молодых ученых и специалистов. За эти годы мероприятие превратилось в основной форум, где ученые, представляющие академическое сообщество, ВУЗы и промышленность России и стран зарубежья обсуждают актуальные проблемы по всему кругу вопросов, включающему в себя получение металлургического и поликристаллического кремния, рост и материаловедение объемных кристаллов и тонких пленок кремния и родственных материалов, а так же физику, технологию и диагностику наноструктур на их основе.